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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPB80P04P407ATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPB80P04P407ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPB80P04P407ATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IPB80P04P407ATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3750

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPB80P04P407ATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPB80P04P407ATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPB80P04P407ATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.4mOhm @ 80A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 88W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6085 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPB80P  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPB80P04P407ATMA1

Proprietà del prodotto IPB80P04P407ATMA1 IPB80N08S2L07ATMA1 IPB80P04P407ATMA2 IPB80R290C3A
Modello di prodotti IPB80P04P407ATMA1 IPB80N08S2L07ATMA1 IPB80P04P407ATMA2 IPB80R290C3A
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 88W (Tc) 300W (Tc) 88W (Tc) 227W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6085 pF @ 25 V 5400 pF @ 25 V 6085 pF @ 25 V 2300 pF @ 100 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc) 17A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V 233 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V 117 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 7.4mOhm @ 80A, 10V 6.8mOhm @ 80A, 10V 7.4mOhm @ 80A, 10V 290mOhm @ 11A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 75 V 40 V 800 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA 2V @ 250µA 4V @ 150µA 3.9V @ 1mA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base IPB80P IPB80N IPB80P -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™

IPB80P04P407ATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPB80P04P407ATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPB80P04P407ATMA1 - Infineon Technologies.

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