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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPB80N03S4L03ATMA1
IPB80N03S4L03ATMA1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPB80N03S4L03ATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPB80N03S4L03ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPB80N03S4L03ATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IPx80N03S4L-03,04.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4660

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPB80N03S4L03ATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPB80N03S4L03ATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPB80N03S4L03ATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 45µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.3mOhm @ 80A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 94W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPB80N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPB80N03S4L03ATMA1

Proprietà del prodotto IPB80N03S4L03ATMA1 IPB80N04S3-04 IPB80N03S4L-03 IPB80N04S2H4ATMA2
Modello di prodotti IPB80N03S4L03ATMA1 IPB80N04S3-04 IPB80N03S4L-03 IPB80N04S2H4ATMA2
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 40 V 30 V 40 V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-1 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 94W (Tc) 136W (Tc) 94W (Tc) 300W (Tc)
Vgs (Max) ±16V ±20V ±16V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V 5200 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 45µA 4V @ 90µA 2.2V @ 45µA 4V @ 250µA
Numero di prodotto di base IPB80N - - IPB80N
Rds On (max) a Id, Vgs 3.3mOhm @ 80A, 10V 4.1mOhm @ 80A, 10V 3.7mOhm @ 80A, 10V 3.7mOhm @ 80A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 148 nC @ 10 V

IPB80N03S4L03ATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPB80N03S4L03ATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPB80N03S4L03ATMA1 - Infineon Technologies.

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