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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPB80N03S4L-03
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPB80N03S4L-03 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPB80N03S4L-03
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPB80N03S4L-03
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IPB80N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IPB80N03S4L-03.pdf
In magazzino: 4460

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPB80N03S4L-03
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPB80N03S4L-03, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPB80N03S4L-03

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 45µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2  
Serie CoolMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.7mOhm @ 80A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 94W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPB80N03S4L-03

Proprietà del prodotto IPB80N03S4L-03 IPB80N03S4L03ATMA1 IPB77N06S3-09 IPB80N04S2H4ATMA2
Modello di prodotti IPB80N03S4L-03 IPB80N03S4L03ATMA1 IPB77N06S3-09 IPB80N04S2H4ATMA2
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie CoolMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ CoolMOS™
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 77A (Tc) 80A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 55 V 40 V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 94W (Tc) 94W (Tc) 107W (Tc) 300W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V 5335 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 103 nC @ 10 V 148 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 45µA 2.2V @ 45µA 4V @ 55µA 4V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 3.7mOhm @ 80A, 10V 3.3mOhm @ 80A, 10V 8.8mOhm @ 39A, 10V 3.7mOhm @ 80A, 10V

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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