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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IPB180N03S4LH0ATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPB180N03S4LH0ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPB180N03S4LH0ATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Pacchetto
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Scheda dati
IPB180N03S4LH0ATMA1.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4430

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPB180N03S4LH0ATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPB180N03S4LH0ATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPB180N03S4LH0ATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 200µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-7-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 0.95mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPB180  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPB180N03S4LH0ATMA1

Proprietà del prodotto IPB180N03S4LH0ATMA1 IPB180N03S4L-01 IPB180N03S4L-H0 IPB17N25S3100ATMA1
Modello di prodotti IPB180N03S4LH0ATMA1 IPB180N03S4L-01 IPB180N03S4L-H0 IPB17N25S3100ATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 239 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc) 180A (Tc) 180A (Tc) 17A (Tc)
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base IPB180 IPB180 IPB180 IPB17N25
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 250 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie OptiMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V 17600 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc) 188W (Tc) 250W (Tc) 107W (Tc)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-7-3 PG-TO263-7-3-10 PG-TO263-7-3-10 PG-TO263-3-2
Rds On (max) a Id, Vgs 0.95mOhm @ 100A, 10V 1.05mOhm @ 100A, 10V 0.95mOhm @ 100A, 10V 100mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 200µA 2.2V @ 140µA 2.2V @ 200µA 4V @ 54µA

IPB180N03S4LH0ATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPB180N03S4LH0ATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPB180N03S4LH0ATMA1 - Infineon Technologies.

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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