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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPB180N03S4L-H0
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPB180N03S4L-H0 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPB180N03S4L-H0
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPB180N03S4L-H0
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Scheda dati
IPB180N03S4L-H0.pdf
In magazzino: 5430

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPB180N03S4L-H0
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPB180N03S4L-H0, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPB180N03S4L-H0

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 200µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-7-3-10  
Serie CoolMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 0.95mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPB180  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPB180N03S4L-H0

Proprietà del prodotto IPB180N03S4L-H0 IPB180N03S4L-01 IPB17N25S3100ATMA1 IPB180N03S4LH0ATMA1
Modello di prodotti IPB180N03S4L-H0 IPB180N03S4L-01 IPB17N25S3100ATMA1 IPB180N03S4LH0ATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base IPB180 IPB180 IPB17N25 IPB180
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 239 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 250 V 30 V
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 200µA 2.2V @ 140µA 4V @ 54µA 2.2V @ 200µA
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc) 188W (Tc) 107W (Tc) 250W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 0.95mOhm @ 100A, 10V 1.05mOhm @ 100A, 10V 100mOhm @ 17A, 10V 0.95mOhm @ 100A, 10V
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V 17600 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc) 180A (Tc) 17A (Tc) 180A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-7-3-10 PG-TO263-7-3-10 PG-TO263-3-2 PG-TO263-7-3
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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