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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPB024N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPB024N10N5ATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPB024N10N5ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPB024N10N5ATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Scheda dati
IPB024N10N5ATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 10264

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPB024N10N5ATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPB024N10N5ATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPB024N10N5ATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 183µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-7  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.4mOhm @ 90A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10200 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 138 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPB024  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPB024N10N5ATMA1

Proprietà del prodotto IPB024N10N5ATMA1 IPB021N06N3G IPB020NE7N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1
Modello di prodotti IPB024N10N5ATMA1 IPB021N06N3G IPB020NE7N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 10V 6V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 183µA 4V @ 196µA 3.8V @ 273µA 3.5V @ 275µA
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ 3 OptiMOS™ 3 OptiMOS™
Numero di prodotto di base IPB024 - IPB020 IPB025
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10200 pF @ 50 V 23000 pF @ 30 V 14400 pF @ 37.5 V 14800 pF @ 50 V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-7 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-7
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 60 V 75 V 100 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 180A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 138 nC @ 10 V 275 nC @ 10 V 206 nC @ 10 V 206 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 2.4mOhm @ 90A, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V 2.5mOhm @ 100A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc) 250W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Contenitore / involucro TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IPB024N10N5ATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPB024N10N5ATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPB024N10N5ATMA1 - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf
Assemblaggio/origine PCN
OptiMOS A/T Chgs 2/Dec/2021.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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