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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPB023N04NG
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPB023N04NG - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPB023N04NG
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPB023N04NG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IPB023N04NG.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4250

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPB023N04NG
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPB023N04NG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPB023N04NG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 95µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2  
Serie OptiMOS™3  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.3mOhm @ 90A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 167W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPB023N04NG

Proprietà del prodotto IPB023N04NG IPB024N08N5ATMA1 IPB021N06N3G IPB020N10N5ATMA1
Modello di prodotti IPB023N04NG IPB024N08N5ATMA1 IPB021N06N3G IPB020N10N5ATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 167W (Tc) 214W (Tc) 250W (Tc) 375W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 20 V 8970 pF @ 40 V 23000 pF @ 30 V 15600 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 2.3mOhm @ 90A, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 95µA 3.8V @ 154µA 4V @ 196µA 3.8V @ 270µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 10V 6V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 123 nC @ 10 V 275 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™3 OptiMOS™ OptiMOS™ 3 OptiMOS™
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 80 V 60 V 100 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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