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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPA50R950CE
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPA50R950CE - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPA50R950CE
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPA50R950CE
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO220-FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
IPA50R950CE.pdf
In magazzino: 5260

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPA50R950CE
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPA50R950CE, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPA50R950CE

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3-31  
Serie CoolMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 950mOhm @ 1.2A, 13V  
Dissipazione di potenza (max) 25.7W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 231 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 13V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPA50R  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPA50R950CE

Proprietà del prodotto IPA50R950CE IPA50R800CE IPA60R080P7XKSA1 IPA60R080P7
Modello di prodotti IPA50R950CE IPA50R800CE IPA60R080P7XKSA1 IPA60R080P7
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A (Tc) 5A (Tc) 37A (Tc) -
Dissipazione di potenza (max) 25.7W (Tc) 26.4W (Tc) 29W (Tc) -
Numero di prodotto di base IPA50R IPA50R IPA60R080 -
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V 12.4 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ P7 *
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 100µA 3.5V @ 130µA 4V @ 590µA -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3-31 PG-TO220-FP PG-TO220-FP -
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 231 pF @ 100 V 280 pF @ 100 V 2180 pF @ 400 V -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 13V 13V 10V -
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 600 V -
Rds On (max) a Id, Vgs 950mOhm @ 1.2A, 13V 800mOhm @ 1.5A, 13V 80mOhm @ 11.8A, 10V -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole -

IPA50R950CE Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPA50R950CE PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPA50R950CE - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Fab Assembly/Test Site 18/Jun/2014.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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