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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPA50R800CE
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPA50R800CE - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPA50R800CE
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPA50R800CE
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
IPA50R800CE.pdf
In magazzino: 4770

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPA50R800CE
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPA50R800CE, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPA50R800CE

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 130µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-FP  
Serie CoolMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 1.5A, 13V  
Dissipazione di potenza (max) 26.4W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.4 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 13V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPA50R  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPA50R800CE

Proprietà del prodotto IPA50R800CE IPA50R380CE IPA60R060P7XKSA1 IPA50R500CE
Modello di prodotti IPA50R800CE IPA50R380CE IPA60R060P7XKSA1 IPA50R500CE
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ P7 CoolMOS™
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 13V 13V 10V 13V
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 130µA 3.5V @ 260µA 4V @ 800µA 3.5V @ 200µA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) 26.4W (Tc) 29.2W (Tc) 29W (Tc) 28W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.4 nC @ 10 V 24.8 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 18.7 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 1.5A, 13V 380mOhm @ 3.2A, 13V 60mOhm @ 15.9A, 10V 500mOhm @ 2.3A, 13V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-FP PG-TO220-FP PG-TO220-FP PG-TO220-3-31
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 100 V 584 pF @ 100 V 2895 pF @ 400 V 433 pF @ 100 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base IPA50R IPA50R IPA60R060 IPA50R
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 600 V 500 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc) 9.9A (Tc) 48A (Tc) 7.6A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IPA50R800CE Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPA50R800CE PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPA50R800CE - Infineon Technologies.

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Part Number Guide.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Fab Assembly/Test Site 18/Jun/2014.pdf

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