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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIAUA250N04S6N006AUMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IAUA250N04S6N006AUMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IAUA250N04S6N006AUMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IAUA250N04S6N006AUMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Descrizione dettagliata
Pacchetto
5-PowerSFN
Scheda dati
IAUA250N04S6N006AUMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 15620

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IAUA250N04S6N006AUMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IAUA250N04S6N006AUMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IAUA250N04S6N006AUMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 145µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-HSOF-5-4  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 0.64mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)  
Contenitore / involucro 5-PowerSFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11064 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 169 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 450A (Tj)  
Numero di prodotto di base IAUA250  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IAUA250N04S6N006AUMA1

Proprietà del prodotto IAUA250N04S6N006AUMA1 IAUC24N10S5L300ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1
Modello di prodotti IAUA250N04S6N006AUMA1 IAUC24N10S5L300ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc) 38W (Tc) 167W (Tc) 42W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 450A (Tj) 24A (Tc) 165A (Tc) 47A (Tj)
Serie OptiMOS™ OptiMOS™-5 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
Contenitore / involucro 5-PowerSFN 8-PowerTDFN 8-PowerSMD, Gull Wing 8-PowerTDFN
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 0.64mOhm @ 100A, 10V 30mOhm @ 12A, 10V 2.9mOhm @ 80A, 10V 10.2mOhm @ 20A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 169 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 16.3 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base IAUA250 IAUC24 IAUS165 -
Contenitore dispositivo fornitore PG-HSOF-5-4 PG-TDSON-8-33 PG-HSOG-8-1 PG-TDSON-8-33
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 7V, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 100 V 80 V 60 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11064 pF @ 25 V 670 pF @ 50 V 6370 pF @ 40 V 1112.1 pF @ 30 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 145µA 2.2V @ 12µA 3.8V @ 108µA 3.4V @ 13µA
Caratteristica FET - - - -

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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