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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIAUA200N04S5N010AUMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IAUA200N04S5N010AUMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IAUA200N04S5N010AUMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IAUA200N04S5N010AUMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Descrizione dettagliata
Pacchetto
5-PowerSFN
Scheda dati
IAUA200N04S5N010AUMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 19982

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IAUA200N04S5N010AUMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IAUA200N04S5N010AUMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IAUA200N04S5N010AUMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-HSOF-5-1  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5  
Rds On (max) a Id, Vgs 1mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 167W (Tc)  
Contenitore / involucro 5-PowerSFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7650 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 132 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Tc)  
Numero di prodotto di base IAUA200  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IAUA200N04S5N010AUMA1

Proprietà del prodotto IAUA200N04S5N010AUMA1 IAUC24N10S5L300ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1
Modello di prodotti IAUA200N04S5N010AUMA1 IAUC24N10S5L300ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7650 pF @ 25 V 670 pF @ 50 V 6370 pF @ 40 V 867 pF @ 40 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Tc) 24A (Tc) 165A (Tc) 28A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-HSOF-5-1 PG-TDSON-8-33 PG-HSOG-8-1 PG-TDSON-8-33
Contenitore / involucro 5-PowerSFN 8-PowerTDFN 8-PowerSMD, Gull Wing 8-PowerTDFN
Vgs (th) (max) a Id 3.4V @ 100µA 2.2V @ 12µA 3.8V @ 108µA 2V @ 11µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 167W (Tc) 38W (Tc) 167W (Tc) 38W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 1mOhm @ 100A, 10V 30mOhm @ 12A, 10V 2.9mOhm @ 80A, 10V 23mOhm @ 14A, 10V
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 OptiMOS™-5 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base IAUA200 IAUC24 IAUS165 IAUC28
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 132 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 15.1 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 100 V 80 V 80 V

IAUA200N04S5N010AUMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IAUA200N04S5N010AUMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IAUA200N04S5N010AUMA1 - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf
PCN Design/Specifica
IAUA DS Rev 7/Oct/2022.pdf IAUAyyy Mold Cavity Chg 16/Jul/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
IAUA200N04S5N010 Wafer Site Add 6/May/2019.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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