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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBTS244Z E3043
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BTS244Z E3043 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BTS244Z E3043
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BTS244Z E3043
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-43
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-5
Scheda dati
BTS244Z.pdf
In magazzino: 4380

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BTS244Z E3043
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BTS244Z E3043, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BTS244Z E3043

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 130µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore P-TO220-5-43  
Serie TEMPFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 13mOhm @ 19A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-5  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2660 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET Temperature Sensing Diode  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BTS244Z E3043

Proprietà del prodotto BTS244Z E3043 BTS240AHKSA1 BTS244Z E3062A BTS247Z E3062A
Modello di prodotti BTS244Z E3043 BTS240AHKSA1 BTS244Z E3062A BTS247Z E3062A
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2660 pF @ 25 V 4300 pF @ 25 V 2660 pF @ 25 V 1730 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Contenitore dispositivo fornitore P-TO220-5-43 PG-TO218-3-1 PG-TO220-5-62 PG-TO263-5-2
Caratteristica FET Temperature Sensing Diode - Temperature Sensing Diode Temperature Sensing Diode
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V - 130 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-220-5 TO-218-3 TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc) 58A (Tc) 35A (Tc) 33A (Tc)
Pacchetto Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 50 V 55 V 55 V
Rds On (max) a Id, Vgs 13mOhm @ 19A, 10V 18mOhm @ 47A, 10V 13mOhm @ 19A, 10V 18mOhm @ 12A, 10V
Serie TEMPFET® Automotive, AEC-Q101 TEMPFET® TEMPFET®
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 130µA 3.5V @ 1mA 2V @ 130µA 2V @ 90µA
Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc) 170W 170W (Tc) 120W (Tc)

BTS244Z E3043 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BTS244Z E3043 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BTS244Z E3043 - Infineon Technologies.

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Part Number Guide.pdf
Schede tecniche
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PCN Obsolescence/ EOL
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