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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBTS240AHKSA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

BTS240AHKSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BTS240AHKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BTS240AHKSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Pacchetto
TO-218-3
Scheda dati
BTS240AHKSA1.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 3048

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BTS240AHKSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BTS240AHKSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BTS240AHKSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO218-3-1  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 47A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 170W  
Contenitore / involucro TO-218-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 50 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 58A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BTS240AHKSA1

Proprietà del prodotto BTS240AHKSA1 BTS244ZE3043 BTS247Z E3062A BTS247Z
Modello di prodotti BTS240AHKSA1 BTS244ZE3043 BTS247Z E3062A BTS247Z
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 47A, 10V 13mOhm @ 19A, 10V 18mOhm @ 12A, 10V -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount -
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 1mA 2V @ 130µA 2V @ 90µA -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO218-3-1 TO-220-5 PG-TO263-5-2 -
Serie Automotive, AEC-Q101 * TEMPFET® *
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Dissipazione di potenza (max) 170W 170W (Tc) 120W (Tc) -
Caratteristica FET - - Temperature Sensing Diode -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 25 V 2660 pF @ 25 V 1730 pF @ 25 V -
Tensione drain-source (Vdss) 50 V 55 V 55 V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 58A (Tc) 35A (Tc) 33A (Tc) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Contenitore / involucro TO-218-3 TO-220-5 TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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