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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciBSO330N02KG
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSO330N02KG - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSO330N02KG
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSO330N02KG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
BSO330N02KG.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 195710

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSO330N02KG
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSO330N02KG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSO330N02KG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 20µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-DSO-8  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Potenza - Max 1.4W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.4A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base BSO330N02  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSO330N02KG

Proprietà del prodotto BSO330N02KG BSO612CVG BSO350N03 BSO4804
Modello di prodotti BSO330N02KG BSO612CVG BSO350N03 BSO4804
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 120mOhm @ 3A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V 35mOhm @ 6A, 10V 20mOhm @ 8A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 20µA 4V @ 20µA, 4V @ 450µA 2V @ 6µA 2V @ 30µA
Pacchetto Bulk - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET Logic Level Gate Standard Logic Level Gate Logic Level Gate
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 4.5V 15.5nC @ 10V, 16nC @ 10V 3.7nC @ 5V 17nC @ 5V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8
Numero di prodotto di base BSO330N02 - BSO350N03 BSO4804
Serie OptiMOS™ - OptiMOS™ OptiMOS™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) - 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Tensione drain-source (Vdss) 20V 60V 30V 30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 10V 340pF, 400pF @ 25V 480pF @ 15V 870pF @ 25V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.4A 3A (Ta), 2A (Ta) 5A 8A
Potenza - Max 1.4W 2W (Ta) 1.4W 2W

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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