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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSF134N10NJ3GXUMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSF134N10NJ3GXUMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSF134N10NJ3GXUMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSF134N10NJ3GXUMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 9A/40A 2WDSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
3-WDSON
Scheda dati
BSF134N10NJ3GXUMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 29342

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BSF134N10NJ3GXUMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSF134N10NJ3GXUMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSF134N10NJ3GXUMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 40µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore MG-WDSON-2, CanPAK M™  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 13.4mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 43W (Tc)  
Contenitore / involucro 3-WDSON  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta), 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base BSF134  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSF134N10NJ3GXUMA1

Proprietà del prodotto BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF885N03LQ3G SI2334DS-T1-GE3 2SK2090-T1-A
Modello di prodotti BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF885N03LQ3G SI2334DS-T1-GE3 2SK2090-T1-A
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Renesas Electronics America Inc
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Tensione drain-source (Vdss) 100 V - 30 V 50 V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V - ±8V -
Serie OptiMOS™ * TrenchFET® -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V - 10 nC @ 4.5 V -
Rds On (max) a Id, Vgs 13.4mOhm @ 30A, 10V - 44mOhm @ 4.2A, 4.5V 20Ohm @ 10mA, 4V
Contenitore dispositivo fornitore MG-WDSON-2, CanPAK M™ - SOT-23-3 (TO-236) SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 43W (Tc) - 1.3W (Ta), 1.7W (Tc) -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V - 2.5V, 4.5V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 50 V - 634 pF @ 15 V 6000 pF @ 3 V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Numero di prodotto di base BSF134 - SI2334 -
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 40µA - 1V @ 250µA 1.5V @ 1µA
Contenitore / involucro 3-WDSON - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta), 40A (Tc) - 4.9A (Tc) 100mA (Ta)

BSF134N10NJ3GXUMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSF134N10NJ3GXUMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSF134N10NJ3GXUMA1 - Infineon Technologies.

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