Specifiche
Specifiche tecnologiche BSF050N03LQ3G
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSF050N03LQ3G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSF050N03LQ3G
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| fabbricante |
Infineon Technologies |
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| Vgs (th) (max) a Id |
2.2V @ 250µA |
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| Vgs (Max) |
±20V |
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| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Contenitore dispositivo fornitore |
MG-WDSON-2 |
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| Serie |
OptiMOS® |
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| Rds On (max) a Id, Vgs |
5mOhm @ 20A, 10V |
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| Dissipazione di potenza (max) |
2.2W (Ta), 28W (Tc) |
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| Contenitore / involucro |
DirectFET™ Isometric MX |
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| Pacchetto |
Bulk |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| temperatura di esercizio |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Surface Mount |
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| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
3000 pF @ 15 V |
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| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
42 nC @ 10 V |
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| Tipo FET |
N-Channel |
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| Caratteristica FET |
- |
|
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
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| Tensione drain-source (Vdss) |
30 V |
|
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
15A (Ta), 60A (Tc) |
|
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
- La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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BSF035NE2LQCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
SCH1331-TL-HonsemiMOSFET P-CH 12V 3A 6SCH
SI7107DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8