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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciBSD223P
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

BSD223P - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSD223P
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSD223P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Pacchetto
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
BSD223P.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4210

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BSD223P
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSD223P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSD223P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 1.5µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT363-PO  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V  
Potenza - Max 250mW  
Contenitore / involucro 6-VSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 56pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.62nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 390mA  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base BSD223  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSD223P

Proprietà del prodotto BSD223P BSD223PH6327XTSA1 BSD223P L6327 BSD235NH6327XTSA1
Modello di prodotti BSD223P BSD223PH6327XTSA1 BSD223P L6327 BSD235NH6327XTSA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base BSD223 BSD223 BSD223 BSD235
Contenitore / involucro 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 56pF @ 15V 56pF @ 15V 56pF @ 15V 63pF @ 10V
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 2
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.62nC @ 4.5V 0.62nC @ 4.5V 0.62nC @ 4.5V 0.32nC @ 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT363-PO PG-SOT363-6-1 PG-SOT363-PO PG-SOT363-PO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 390mA 390mA 390mA 950mA
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 1.5µA 1.2V @ 1.5µA 1.2V @ 1.5µA 1.2V @ 1.6µA
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Potenza - Max 250mW 250mW 250mW 500mW
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V 350mOhm @ 950mA, 4.5V

BSD223P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSD223P PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSD223P - Infineon Technologies.

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Schede tecniche
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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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