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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciBSD235CH6327XTSA1
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSD235CH6327XTSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSD235CH6327XTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSD235CH6327XTSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
BSD235CH6327XTSA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 305290

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BSD235CH6327XTSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSD235CH6327XTSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSD235CH6327XTSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 1.6µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT363-6-1  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 350mOhm @ 950mA, 4.5V  
Potenza - Max 500mW  
Contenitore / involucro 6-VSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 47pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.34nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 950mA, 530mA  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base BSD235  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSD235CH6327XTSA1

Proprietà del prodotto BSD235CH6327XTSA1 BSD223P L6327 BSD235NH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1
Modello di prodotti BSD235CH6327XTSA1 BSD223P L6327 BSD235NH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.34nC @ 4.5V 0.62nC @ 4.5V 0.32nC @ 4.5V 0.62nC @ 4.5V
Rds On (max) a Id, Vgs 350mOhm @ 950mA, 4.5V 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V 350mOhm @ 950mA, 4.5V 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 1.6µA 1.2V @ 1.5µA 1.2V @ 1.6µA 1.2V @ 1.5µA
Configurazione N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Contenitore / involucro 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT363-6-1 PG-SOT363-PO PG-SOT363-PO PG-SOT363-6-1
Numero di prodotto di base BSD235 BSD223 BSD235 BSD223
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 47pF @ 10V 56pF @ 15V 63pF @ 10V 56pF @ 15V
Potenza - Max 500mW 250mW 500mW 250mW
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 2 OptiMOS™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 950mA, 530mA 390mA 950mA 390mA
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

BSD235CH6327XTSA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSD235CH6327XTSA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSD235CH6327XTSA1 - Infineon Technologies.

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