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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSC119N03MSCG
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSC119N03MSCG - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSC119N03MSCG
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSC119N03MSCG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
BSC119N03MSCG.pdf
In magazzino: 166270

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSC119N03MSCG
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSC119N03MSCG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSC119N03MSCG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8  
Serie OptiMOS™3  
Rds On (max) a Id, Vgs 11.9mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 28W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 39A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSC119N03MSCG

Proprietà del prodotto BSC119N03MSCG BSC110N15NS5ATMA1 BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03LSG
Modello di prodotti BSC119N03MSCG BSC110N15NS5ATMA1 BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03LSG
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Serie OptiMOS™3 OptiMOS™ OptiMOS™ -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 39A (Tc) 76A (Tc) 12A (Ta), 39A (Tc) -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 150 V 30 V -
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 4.6V @ 91µA 2.2V @ 250µA -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 15 V 2770 pF @ 75 V 1200 pF @ 15 V -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8 PG-TDSON-8-7 PG-TDSON-8-5 -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 125W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 8V, 10V 4.5V, 10V -
Rds On (max) a Id, Vgs 11.9mOhm @ 30A, 10V 11mOhm @ 38A, 10V 12mOhm @ 30A, 10V -

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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