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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSC117N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSC117N08NS5ATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSC117N08NS5ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSC117N08NS5ATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
BSC117N08NS5ATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 65340

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSC117N08NS5ATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSC117N08NS5ATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSC117N08NS5ATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 22µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-7  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 11.7mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 40 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 49A (Tc)  
Numero di prodotto di base BSC117  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSC117N08NS5ATMA1

Proprietà del prodotto BSC117N08NS5ATMA1 BSC118N10NSG BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N15NS5ATMA1
Modello di prodotti BSC117N08NS5ATMA1 BSC118N10NSG BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N15NS5ATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 22µA 4V @ 70µA 4V @ 23µA 4.6V @ 91µA
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-7 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-7
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 49A (Tc) 11A (Ta), 71A (Tc) 50A (Tc) 76A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 100 V 60 V 150 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 114W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 125W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 40 V 3700 pF @ 50 V 2700 pF @ 30 V 2770 pF @ 75 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 10V 8V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numero di prodotto di base BSC117 - BSC110 BSC110
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ 2 OptiMOS™ OptiMOS™
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Rds On (max) a Id, Vgs 11.7mOhm @ 25A, 10V 11.8mOhm @ 50A, 10V 11mOhm @ 50A, 10V 11mOhm @ 38A, 10V

BSC117N08NS5ATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSC117N08NS5ATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSC117N08NS5ATMA1 - Infineon Technologies.

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