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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSC060N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSC060N10NS3GATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSC060N10NS3GATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSC060N10NS3GATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
BSC060N10NS3GATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 29751

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSC060N10NS3GATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSC060N10NS3GATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSC060N10NS3GATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 90µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-1  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 6mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14.9A (Ta), 90A (Tc)  
Numero di prodotto di base BSC060  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSC060N10NS3GATMA1

Proprietà del prodotto BSC060N10NS3GATMA1 BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1
Modello di prodotti BSC060N10NS3GATMA1 BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 50 V 3200 pF @ 20 V 830 pF @ 20 V 1800 pF @ 30 V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-6
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base BSC060 BSC059 BSC059 BSC065
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14.9A (Ta), 90A (Tc) 16A (Ta), 73A (Tc) 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc) 64A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 6mOhm @ 50A, 10V 5.9mOhm @ 50A, 10V 5.9mOhm @ 50A, 10V 6.5mOhm @ 32A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 9.4 nC @ 10 V 13 nC @ 4.5 V
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 3W (Ta), 38W (Tc) 46W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 40 V 40 V 60 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 90µA 2V @ 23µA 2.3V @ 250µA 2.3V @ 20µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

BSC060N10NS3GATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSC060N10NS3GATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSC060N10NS3GATMA1 - Infineon Technologies.

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Assemblaggio/origine PCN
Assembly Site Update 26/Jul/2016.pdf

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