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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSC059N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSC059N04LS6ATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSC059N04LS6ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSC059N04LS6ATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 17A TDSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
BSC059N04LS6ATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 60450

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BSC059N04LS6ATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSC059N04LS6ATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSC059N04LS6ATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-6  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.9mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 38W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 830 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.4 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc)  
Numero di prodotto di base BSC059  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSC059N04LS6ATMA1

Proprietà del prodotto BSC059N04LS6ATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 BSC059N04LSGATMA1
Modello di prodotti BSC059N04LS6ATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 BSC059N04LSGATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.4 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 5.9mOhm @ 50A, 10V 6mOhm @ 50A, 10V 5.7mOhm @ 50A, 10V 5.9mOhm @ 50A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 100 V 80 V 40 V
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA 3.5V @ 90µA 3.5V @ 73µA 2V @ 23µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 38W (Tc) 125W (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 830 pF @ 20 V 4900 pF @ 50 V 3900 pF @ 40 V 3200 pF @ 20 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc) 14.9A (Ta), 90A (Tc) 16A (Ta), 100A (Tc) 16A (Ta), 73A (Tc)
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base BSC059 BSC060 BSC057 BSC059
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-5

BSC059N04LS6ATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSC059N04LS6ATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSC059N04LS6ATMA1 - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
OptiMOS Dev Assembly Add 31/Jan/2019.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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