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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSC026N02KSG
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSC026N02KSG - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSC026N02KSG
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSC026N02KSG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
BSC026N02 - 12V-300V N-CHANNEL P
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
BSC026N02KSG.pdf
In magazzino: 37000

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BSC026N02KSG
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSC026N02KSG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSC026N02KSG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 200µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-1  
Serie OptiMOS™2  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.6mOhm @ 50A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 78W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7800 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 52.7 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Ta), 134A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSC026N02KSG

Proprietà del prodotto BSC026N02KSG BSC022N04LSATMA1 BSC024NE2LSATMA1 BSC025N03LSGATMA1
Modello di prodotti BSC026N02KSG BSC022N04LSATMA1 BSC024NE2LSATMA1 BSC025N03LSGATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 40 V 25 V 30 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 52.7 nC @ 4.5 V 37 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7800 pF @ 10 V 2600 pF @ 20 V 1700 pF @ 12 V 6100 pF @ 15 V
Serie OptiMOS™2 OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Ta), 134A (Tc) 100A (Tc) 25A (Ta), 110A (Tc) 25A (Ta), 100A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-5
Rds On (max) a Id, Vgs 2.6mOhm @ 50A, 4.5V 2.2mOhm @ 50A, 10V 2.4mOhm @ 30A, 10V 2.5mOhm @ 30A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 200µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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