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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSC025N03MSG
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSC025N03MSG - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSC025N03MSG
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSC025N03MSG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
BSC025N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
BSC025N03MSG.pdf
In magazzino: 4720

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSC025N03MSG
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSC025N03MSG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSC025N03MSG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-1  
Serie OptiMOS™ 3  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 83W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Ta), 147A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSC025N03MSG

Proprietà del prodotto BSC025N03MSG BSC022N04LSATMA1 BSC025N03LSGATMA1 BSC026N02KSG
Modello di prodotti BSC025N03MSG BSC022N04LSATMA1 BSC025N03LSGATMA1 BSC026N02KSG
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie OptiMOS™ 3 OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™2
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 1.2V @ 200µA
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5mOhm @ 30A, 10V 2.2mOhm @ 50A, 10V 2.5mOhm @ 30A, 10V 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-1
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 40 V 30 V 20 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V 52.7 nC @ 4.5 V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Ta), 147A (Tc) 100A (Tc) 25A (Ta), 100A (Tc) 25A (Ta), 134A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 15 V 2600 pF @ 20 V 6100 pF @ 15 V 7800 pF @ 10 V

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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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