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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSB165N15NZ3G
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSB165N15NZ3G - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSB165N15NZ3G
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSB165N15NZ3G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
BSB165N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DirectFET™ Isometric MZ
Scheda dati
BSB165N15NZ3G.pdf
In magazzino: 14704

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BSB165N15NZ3G
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSB165N15NZ3G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSB165N15NZ3G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 110µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore MG-WDSON-2-9  
Serie OptiMOS®  
Rds On (max) a Id, Vgs 16.5mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 78W (Tc)  
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric MZ  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 75 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta), 45A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSB165N15NZ3G

Proprietà del prodotto BSB165N15NZ3G BSB280N15NZ3G BSB056N10NN3GXUMA1 BSB028N06NN3GXUMA1
Modello di prodotti BSB165N15NZ3G BSB280N15NZ3G BSB056N10NN3GXUMA1 BSB028N06NN3GXUMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta), 45A (Tc) 9A (Ta), 30A (Tc) 9A (Ta), 83A (Tc) 22A (Ta), 90A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 150 V 100 V 60 V
Serie OptiMOS® OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 16.5mOhm @ 30A, 10V 28mOhm @ 30A, 10V 5.6mOhm @ 30A, 10V 2.8mOhm @ 30A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V 143 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore MG-WDSON-2-9 MG-WDSON-2-5 MG-WDSON-2, CanPAK M™ MG-WDSON-2, CanPAK M™
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 110µA 4V @ 60µA 3.5V @ 100µA 4V @ 102µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V 10V 6V, 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 75 V 1600 pF @ 75 V 5500 pF @ 50 V 12000 pF @ 30 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric MZ DirectFET™ Isometric MX 3-WDSON 3-WDSON

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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