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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSB053N03LPG
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSB053N03LPG - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSB053N03LPG
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSB053N03LPG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
3-WDSON
Scheda dati
BSB053N03LPG.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 66570

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSB053N03LPG
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSB053N03LPG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSB053N03LPG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore MG-WDSON-2, CanPAK M™  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.3mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 42W (Tc)  
Contenitore / involucro 3-WDSON  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta), 71A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSB053N03LPG

Proprietà del prodotto BSB053N03LPG BSB056N10NN3GXUMA1 BSB028N06NN3GXUMA1 BSB165N15NZ3
Modello di prodotti BSB053N03LPG BSB056N10NN3GXUMA1 BSB028N06NN3GXUMA1 BSB165N15NZ3
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 100 V 60 V -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V 143 nC @ 10 V -
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Rds On (max) a Id, Vgs 5.3mOhm @ 30A, 10V 5.6mOhm @ 30A, 10V 2.8mOhm @ 30A, 10V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 15 V 5500 pF @ 50 V 12000 pF @ 30 V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Contenitore dispositivo fornitore MG-WDSON-2, CanPAK M™ MG-WDSON-2, CanPAK M™ MG-WDSON-2, CanPAK M™ -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta), 71A (Tc) 9A (Ta), 83A (Tc) 22A (Ta), 90A (Tc) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 42W (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 10V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Contenitore / involucro 3-WDSON 3-WDSON 3-WDSON -
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA 3.5V @ 100µA 4V @ 102µA -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
Caratteristica FET - - - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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