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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRL3705ZSTRL
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

AUIRL3705ZSTRL - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
AUIRL3705ZSTRL
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRL3705ZSTRL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
AUIRL3705ZSTRL.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 18126

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRL3705ZSTRL
Specifiche tecniche International Rectifier - AUIRL3705ZSTRL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - AUIRL3705ZSTRL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 52A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 130W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

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Proprietà del prodotto AUIRL3705ZSTRL AUIRL3705Z AUIRL3705ZS AUIRL1404ZSTRL
Modello di prodotti AUIRL3705ZSTRL AUIRL3705Z AUIRL3705ZS AUIRL1404ZSTRL
fabbricante International Rectifier International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 130W (Tc) 130W (Tc) 130W (Tc) 200W (Tc)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 40 V
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK TO-220AB D2PAK D2PAK
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V 60 nC @ 5 V 60 nC @ 5 V 110 nC @ 5 V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.7V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 160A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 25 V 2880 pF @ 25 V 2880 pF @ 25 V 5080 pF @ 25 V
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 52A, 10V 8mOhm @ 52A, 10V 8mOhm @ 52A, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Contattaci se hai domande.

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