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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRL2203N
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRL2203N - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
AUIRL2203N
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRL2203N
Modello ECAD
Descrizione delle parti
AUTOMOTIVE N-CHANNEL
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
AUIRL2203N.pdf
In magazzino: 30316

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRL2203N
Specifiche tecniche International Rectifier - AUIRL2203N, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - AUIRL2203N

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 60A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3290 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier AUIRL2203N

Proprietà del prodotto AUIRL2203N AUIRL1404ZSTRL AUIRL1404S AUIRL7732S2TR
Modello di prodotti AUIRL2203N AUIRL1404ZSTRL AUIRL1404S AUIRL7732S2TR
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DirectFET™ Isometric SC
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 60A, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V 6.6mOhm @ 35A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3290 pF @ 25 V 5080 pF @ 25 V 6600 pF @ 25 V 2020 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±16V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.3V, 10V 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 40 V 40 V 40 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 160A (Tc) 160A (Tc) 14A (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V 110 nC @ 5 V 140 nC @ 5 V 33 nC @ 4.5 V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 2.7V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 50µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB D2PAK D-PAK (TO-252AA) DIRECTFET™ SC
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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