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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRFU4292
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRFU4292 - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
AUIRFU4292
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRFU4292
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET_(120V,300V)
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
AUIRFU4292.pdf
In magazzino: 53200

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRFU4292
Specifiche tecniche International Rectifier - AUIRFU4292, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - AUIRFU4292

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 345mOhm @ 5.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 705 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.3A (Tc)  

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Proprietà del prodotto AUIRFU4292 AUIRFZ24NSTRL AUIRFZ44N AUIRFZ34N
Modello di prodotti AUIRFU4292 AUIRFZ24NSTRL AUIRFZ44N AUIRFZ34N
fabbricante International Rectifier International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.3A (Tc) 17A (Tc) 49A (Tc) 29A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 705 pF @ 25 V 370 pF @ 25 V 1470 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) 94W (Tc) 68W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 345mOhm @ 5.6A, 10V 70mOhm @ 10A, 10V 17.5mOhm @ 25A, 10V 40mOhm @ 16A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK D-PAK (TO-252AA) TO-220AB TO-220AB
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 50µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 55 V 55 V 55 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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