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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRFSL8407
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRFSL8407 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRFSL8407
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRFSL8407
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
AUIRFSL8407.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 8633

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRFSL8407
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRFSL8407, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRFSL8407

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7330 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)  
Numero di prodotto di base AUIRFSL8407  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies AUIRFSL8407

Proprietà del prodotto AUIRFSL8407 AUIRFSL8405 AUIRFU540Z AUIRFS8409-7TRL
Modello di prodotti AUIRFSL8407 AUIRFSL8405 AUIRFU540Z AUIRFS8409-7TRL
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7330 pF @ 25 V 5193 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V 13975 pF @ 25 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Pacchetto Tube Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc) 163W (Tc) 91W (Tc) 375W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 100 V 40 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-262 TO-262 I-PAK D2PAK (7-Lead)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA 3.9V @ 100µA 4V @ 50µA 3.9V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numero di prodotto di base AUIRFSL8407 - - AUIRF8409
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 28.5mOhm @ 21A, 10V 0.75mOhm @ 100A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V 161 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 460 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc) 120A (Tc) 35A (Tc) 240A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

AUIRFSL8407 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRFSL8407 PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRFSL8407 - Infineon Technologies.

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