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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRFS4010
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

AUIRFS4010 - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
AUIRFS4010
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRFS4010
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
AUIRFS4010.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 3640

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRFS4010
Specifiche tecniche International Rectifier - AUIRFS4010, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - AUIRFS4010

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3  
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.7mOhm @ 106A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9575 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier AUIRFS4010

Proprietà del prodotto AUIRFS4010 AUIRFS4115-7P AUIRFS3107-7TRL AUIRFS3806
Modello di prodotti AUIRFS4010 AUIRFS4115-7P AUIRFS3107-7TRL AUIRFS3806
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc) 105A (Tc) 240A (Tc) 43A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 50µA
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3 D2PAK (7-Lead) D2PAK (7-Lead) PG-TO263-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 4.7mOhm @ 106A, 10V 11.8mOhm @ 63A, 10V 2.6mOhm @ 160A, 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 150 V 75 V 60 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9575 pF @ 50 V 5320 pF @ 50 V 9200 pF @ 50 V 1150 pF @ 50 V
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc) 380W (Tc) 370W (Tc) 71W (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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