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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRFS3107-7TRL
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRFS3107-7TRL - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRFS3107-7TRL
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRFS3107-7TRL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK-7
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Scheda dati
AUIRFS3107-7P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 8147

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRFS3107-7TRL
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRFS3107-7TRL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRFS3107-7TRL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (7-Lead)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.6mOhm @ 160A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 370W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 240A (Tc)  

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Proprietà del prodotto AUIRFS3107-7TRL AUIRFS3307Z AUIRFS3004-7P AUIRFS3206TRL
Modello di prodotti AUIRFS3107-7TRL AUIRFS3307Z AUIRFS3004-7P AUIRFS3206TRL
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tube Bulk
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 240A (Tc) 120A (Tc) 240A (Tc) 120A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (7-Lead) D2PAK PG-TO263-7 D2PAK
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 50 V 4750 pF @ 50 V 9130 pF @ 25 V 6540 pF @ 50 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Dissipazione di potenza (max) 370W (Tc) 230W (Tc) 380W (Tc) 300W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 75 V 75 V 40 V 60 V
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 2.6mOhm @ 160A, 10V 5.8mOhm @ 75A, 10V 1.25mOhm @ 195A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V

AUIRFS3107-7TRL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRFS3107-7TRL PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRFS3107-7TRL - Infineon Technologies.

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Asia India 4
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