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AUIRFR6215 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRFR6215
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRFR6215
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
AUIRFR6215.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3610

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRFR6215
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRFR6215, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRFR6215

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 295mOhm @ 6.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)  
Numero di prodotto di base AUIRFR6215  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies AUIRFR6215

Proprietà del prodotto AUIRFR6215 AUIRFR8405TRL AUIRFR8401 AUIRFR5410
Modello di prodotti AUIRFR6215 AUIRFR8405TRL AUIRFR8401 AUIRFR5410
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Numero di prodotto di base AUIRFR6215 AUIRFR8405 - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 295mOhm @ 6.6A, 10V 1.98mOhm @ 90A, 10V 4.25mOhm @ 60A, 10V 205mOhm @ 7.8A, 10V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 3.9V @ 100µA 3.9V @ 50µA 4V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V 5171 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 760 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc) 13A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc) 163W (Tc) 79W (Tc) 66W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 40 V 40 V 100 V
Caratteristica FET - - - -

AUIRFR6215 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRFR6215 PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRFR6215 - Infineon Technologies.

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