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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRFR5410TRL - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRFR5410TRL
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRFR5410TRL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
AUIRFR5410TRL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 26889

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRFR5410TRL
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRFR5410TRL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRFR5410TRL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3  
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 205mOhm @ 7.8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 66W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)  
Numero di prodotto di base AUIRFR5410  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies AUIRFR5410TRL

Proprietà del prodotto AUIRFR5410TRL AUIRFR540Z AUIRFR540ZTRL AUIRFR5305TR
Modello di prodotti AUIRFR5410TRL AUIRFR540Z AUIRFR540ZTRL AUIRFR5305TR
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 55 V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc) 31A (Tc)
Numero di prodotto di base AUIRFR5410 - AUIRFR540 AUIRFR5305
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3 DPAK DPAK D-Pak
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 205mOhm @ 7.8A, 10V 28.5mOhm @ 21A, 10V 28.5mOhm @ 21A, 10V 65mOhm @ 16A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Dissipazione di potenza (max) 66W (Tc) 91W (Tc) 91W (Tc) -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 50µA 4V @ 50µA 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

AUIRFR5410TRL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRFR5410TRL PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRFR5410TRL - Infineon Technologies.

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