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AUIRF540ZS Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRF540ZS - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRF540ZS
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRF540ZS
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
AUIRF540ZS.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4110

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRF540ZS
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRF540ZS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRF540ZS

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 26.5mOhm @ 22A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 92W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 36A (Tc)  
Numero di prodotto di base AUIRF540  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies AUIRF540ZS

Proprietà del prodotto AUIRF540ZS AUIRF4905STRL AUIRF4104S AUIRF6218S
Modello di prodotti AUIRF540ZS AUIRF4905STRL AUIRF4104S AUIRF6218S
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 55 V 40 V 150 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Numero di prodotto di base AUIRF540 AUIRF4905 - -
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Dissipazione di potenza (max) 92W (Tc) 200W (Tc) 140W (Tc) 250W (Tc)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V 2210 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 36A (Tc) 42A (Tc) 75A (Tc) 27A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3 PG-TO263-3 D2PAK PG-TO263-3
Rds On (max) a Id, Vgs 26.5mOhm @ 22A, 10V 20mOhm @ 42A, 10V 5.5mOhm @ 75A, 10V 150mOhm @ 16A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

AUIRF540ZS Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRF540ZS PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRF540ZS - Infineon Technologies.

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