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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRF540Z
AUIRF540Z Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRF540Z - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRF540Z
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRF540Z
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
AUIRF540Z.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 26011

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRF540Z
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRF540Z, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRF540Z

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 26.5mOhm @ 22A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 92W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 36A (Tc)  
Numero di prodotto di base AUIRF540  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies AUIRF540Z

Proprietà del prodotto AUIRF540Z AUIRF6215 AUIRF6218STRL AUIRF4104S
Modello di prodotti AUIRF540Z AUIRF6215 AUIRF6218STRL AUIRF4104S
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Numero di prodotto di base AUIRF540 AUIRF6215 - -
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 150 V 150 V 40 V
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Rds On (max) a Id, Vgs 26.5mOhm @ 22A, 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V 150mOhm @ 16A, 10V 5.5mOhm @ 75A, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V 2210 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220AB D2PAK D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 36A (Tc) 13A (Tc) 27A (Tc) 75A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Bulk Bulk
Dissipazione di potenza (max) 92W (Tc) 110W (Tc) 250W (Tc) 140W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V

AUIRF540Z Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRF540Z PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRF540Z - Infineon Technologies.

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