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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloBDV65B
Central Semiconductor Corp
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BDV65B - Central Semiconductor Corp

fabbricante Modello di prodotti
BDV65B
fabbricante
Central Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-BDV65B
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 100V 12A TO218
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-218-3
Scheda dati
Power Transistors TO-218 Case General Purpose.pdf
In magazzino: 4170

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BDV65B
Specifiche tecniche Central Semiconductor Corp - BDV65B, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Central Semiconductor Corp - BDV65B

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Central Semiconductor  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 100 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic -  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-218  
Serie -  
Potenza - Max 125 W  
Contenitore / involucro TO-218-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 60MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 5A, 4V  
Corrente - Cutoff collettore (max) -  
Corrente - collettore (Ic) (max) 12 A  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Central Semiconductor Corp BDV65B

Proprietà del prodotto BDV65B BC807-25-7-F MJD117-TP BDV64B
Modello di prodotti BDV65B BC807-25-7-F MJD117-TP BDV64B
fabbricante Central Semiconductor Corp Diodes Incorporated Micro Commercial Co Central Semiconductor Corp
Corrente - collettore (Ic) (max) 12 A 500 mA 2 A 12 A
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Vce saturazione (max) a Ib, Ic - 700mV @ 50mA, 500mA 3V @ 40mA, 4A -
temperatura di esercizio - -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Serie - - - -
Contenitore / involucro TO-218-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-218-3
Potenza - Max 125 W 310 mW 1.75 W 125 W
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 100 V 45 V 100 V 100 V
Corrente - Cutoff collettore (max) - 100nA 10nA -
Contenitore dispositivo fornitore TO-218 SOT-23-3 D-Pak TO-218
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 5A, 4V 160 @ 100mA, 1V 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 5A, 4V
Frequenza - transizione 60MHz 100MHz 25MHz 60MHz
Tipo transistor NPN PNP PNP PNP

BDV65B Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BDV65B PDF e la documentazione Central Semiconductor Corp per BDV65B - Central Semiconductor Corp.

Informazioni ambientali
RoHS Cert.pdf
Schede tecniche
Power Transistors TO-218 Case General Purpose.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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