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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloBDV64B
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BDV64B - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
BDV64B
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-BDV64B
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PNP DARL 100V 10A SOT93
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-218-3
Scheda dati
BDV64,65B.pdf
In magazzino: 4800

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BDV64B
Specifiche tecniche onsemi - BDV64B, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - BDV64B

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 100 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 2V @ 20mA, 5A  
Tipo transistor PNP - Darlington  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-93  
Serie -  
Potenza - Max 125 W  
Contenitore / involucro TO-218-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 5A, 4V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 1mA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 10 A  
Numero di prodotto di base BDV64  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi BDV64B

Proprietà del prodotto BDV64B BDV65B 2PD1820AS,115 FMW4T148
Modello di prodotti BDV64B BDV65B 2PD1820AS,115 FMW4T148
fabbricante onsemi onsemi Nexperia USA Inc. Rohm Semiconductor
Contenitore dispositivo fornitore SOT-93 SOT-93 SOT-323 -
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Frequenza - transizione - - 150MHz -
Contenitore / involucro TO-218-3 TO-218-3 SC-70, SOT-323 -
Corrente - collettore (Ic) (max) 10 A 10 A 500 mA -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 5A, 4V 1000 @ 5A, 4V 170 @ 150mA, 10V -
Tipo transistor PNP - Darlington NPN - Darlington NPN -
Serie - - Automotive, AEC-Q101 *
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 2V @ 20mA, 5A 2V @ 20mA, 5A 600mV @ 30mA, 300mA -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 100 V 100 V 50 V -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount -
Numero di prodotto di base BDV64 BDV65 2PD1820 FMW4T148
Potenza - Max 125 W 125 W 200 mW -
Corrente - Cutoff collettore (max) 1mA 1mA 10nA (ICBO) -

BDV64B Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BDV64B PDF e la documentazione onsemi per BDV64B - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 19/Jun/2009.pdf Multiple Devices 23/Jul/2013.pdf
Schede tecniche
BDV64,65B.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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