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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOT3N60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOT3N60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOT3N60
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOT3N60
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220 Pkg Drawing.pdf
In magazzino: 4940

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOT3N60
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT3N60, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT3N60

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5Ohm @ 1.25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 370 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOT3  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT3N60

Proprietà del prodotto AOT3N60 AOT3N100 AOT29S50L AOT2N60
Modello di prodotti AOT3N60 AOT3N100 AOT29S50L AOT2N60
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 1000 V 500 V 600 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 26.6 nC @ 10 V 11.4 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Numero di prodotto di base AOT3 AOT3 AOT29 AOT2
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Tc) 2.8A (Tc) 29A (Tc) 2A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc) 132W (Tc) 357W (Tc) 74W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 370 pF @ 25 V 830 pF @ 25 V 1312 pF @ 100 V 325 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5Ohm @ 1.25A, 10V 6Ohm @ 1.5A, 10V 150mOhm @ 14.5A, 10V 4.4Ohm @ 1A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 3.9V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Serie - - aMOS™ -

AOT3N60 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOT3N60 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOT3N60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Medio Oriente Israele 6
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