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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOT3N50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOT3N50 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOT3N50
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOT3N50
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 3A TO220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
AOT(F)3N50.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5190

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOT3N50
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT3N50, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT3N50

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 331 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOT3  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT3N50

Proprietà del prodotto AOT3N50 AOT2N60 AOT404 AOT3N100
Modello di prodotti AOT3N50 AOT2N60 AOT404 AOT3N100
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Serie - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V 4.4Ohm @ 1A, 10V 28mOhm @ 20A, 10V 6Ohm @ 1.5A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc) 2A (Tc) 40A (Tc) 2.8A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 331 pF @ 25 V 325 pF @ 25 V 2445 pF @ 25 V 830 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base AOT3 AOT2 AOT40 AOT3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 600 V 105 V 1000 V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V 11.4 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 6V, 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc) 74W (Tc) 100W (Tc) 132W (Tc)

AOT3N50 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOT3N50 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOT3N50 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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