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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOT1N60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOT1N60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOT1N60
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOT1N60
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220 Pkg Drawing.pdf
AOT1N60.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 173080

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOT1N60
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT1N60, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT1N60

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 9Ohm @ 650mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 41.7W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 160 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.3A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOT1  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT1N60

Proprietà del prodotto AOT1N60 AOT15S65L AOT20N25L AOT160A60L
Modello di prodotti AOT1N60 AOT15S65L AOT20N25L AOT160A60L
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 3.6V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 650 V 250 V 600 V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.3A (Tc) 15A (Tc) 20A (Tc) 24A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Dissipazione di potenza (max) 41.7W (Tc) 208W (Tc) 208W (Tc) 250W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Serie - aMOS™ - aMOS5™
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 160 pF @ 25 V 841 pF @ 100 V 1028 pF @ 25 V 2340 pF @ 100 V
Rds On (max) a Id, Vgs 9Ohm @ 650mA, 10V 290mOhm @ 7.5A, 10V 170mOhm @ 10A, 10V 160mOhm @ 12A, 10V
Numero di prodotto di base AOT1 AOT15 AOT20 AOT160
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V 17.2 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -

AOT1N60 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOT1N60 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOT1N60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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