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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOT1606L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOT1606L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOT1606L
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOT1606L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 12A/178A TO220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
AOT1606L.pdf
In magazzino: 4790

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOT1606L
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT1606L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT1606L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 3.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.3mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 417W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 178A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOT1606  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT1606L

Proprietà del prodotto AOT1606L AOT1608L AOT15S65L AOT190A60L
Modello di prodotti AOT1606L AOT1608L AOT15S65L AOT190A60L
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 17.2 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 650 V 600 V
Numero di prodotto di base AOT1606 AOT1608 AOT15 AOT190
Caratteristica FET - - - -
Serie - - aMOS™ aMOS5™
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 178A (Tc) 11A (Ta), 140A (Tc) 15A (Tc) 20A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 3.7V @ 250µA 3.7V @ 250µA 4V @ 250µA 4.6V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 6.3mOhm @ 20A, 10V 7.6mOhm @ 20A, 10V 290mOhm @ 7.5A, 10V 170mOhm @ 7.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 417W (Tc) 2.1W (Ta), 333W (Tc) 208W (Tc) 208W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V 3690 pF @ 25 V 841 pF @ 100 V 1935 pF @ 100 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

AOT1606L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOT1606L PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOT1606L - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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