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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciAON2801L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AON2801L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AON2801L
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AON2801L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH DUAL DFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-WDFN Exposed Pad
Scheda dati
AON2801(L).pdf
In magazzino: 5340

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AON2801L
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON2801L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON2801L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-DFN (2x2)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 3A, 4.5V  
Potenza - Max 1.5W  
Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base AON280  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON2801L

Proprietà del prodotto AON2801L AON2810 AON2812 AON2801
Modello di prodotti AON2801L AON2810 AON2812 AON2801
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 3A, 4.5V 44mOhm @ 2A, 10V 37mOhm @ 2A, 10V 120mOhm @ 3A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore 6-DFN (2x2) 6-DFN (2x2) 6-DFN (2x2) 6-DFN (2x2)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 10V 235pF @ 15V 235pF @ 15V 700pF @ 10V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1V @ 250µA
Serie - - AlphaMOS -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta) 2A 4.5A 3A
Numero di prodotto di base AON280 AON281 AON281 AON280
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V 10nC @ 10V 10nC @ 10V 6.5nC @ 4.5V
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Potenza - Max 1.5W 2.5W 2.5W 1.5W
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 20V 30V 30V 20V
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

AON2801L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AON2801L PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AON2801L - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Informazioni ambientali
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
EOL 27/Oct/2016.pdf
Schede tecniche
AON2801(L).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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