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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciAON2801
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AON2801 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AON2801
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AON2801
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 3A DFN2X2-6L
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-WDFN Exposed Pad
Scheda dati
AON2801(L).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 214340

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AON2801
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON2801, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON2801

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-DFN (2x2)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 3A, 4.5V  
Potenza - Max 1.5W  
Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base AON280  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON2801

Proprietà del prodotto AON2801 AON2802 AON2803 AON2809
Modello di prodotti AON2801 AON2802 AON2803 AON2809
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 3A, 4.5V 60mOhm @ 2A, 10V 70mOhm @ 3.8A, 4.5V 68mOhm @ 2A, 4.5V
Serie - - - -
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 900mV @ 250µA
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 6-DFN (2x2) 6-DFN (2x2) 6-DFN (2x2) 6-DFN (2x2)
Potenza - Max 1.5W 2.1W 1.5W 2.1W
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V 10nC @ 10V 12nC @ 4.5V 4.4nC @ 4.5V
Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 10V 245pF @ 15V 560pF @ 10V 415pF @ 6V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 20V 30V 20V 12V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A 2A 3.8A 2A
Numero di prodotto di base AON280 AON280 AON280 AON280

AON2801 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AON2801 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AON2801 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Informazioni ambientali
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Mult Dev Assem/Test Site Chg 12/Dec/2018.pdf
Schede tecniche
AON2801(L).pdf

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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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