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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciAOD607
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOD607 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOD607
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOD607
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Scheda dati
AOD607.pdf
In magazzino: 3660

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOD607
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD607, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD607

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252-4L  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 12A, 10V  
Potenza - Max 2.1W  
Contenitore / involucro TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  
Configurazione N and P-Channel Complementary  
Numero di prodotto di base AOD60  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD607

Proprietà del prodotto AOD607 AOD609G AOD609 AOD604
Modello di prodotti AOD607 AOD609G AOD609 AOD604
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Potenza - Max 2.1W 2W (Ta), 27W (Tc), 2W (Ta), 30W (Tc) 2W 1.6W, 1.7W
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 15V 545pF @ 20V, 890pF @ 20V 650pF @ 20V 404pF @ 20V
Contenitore / involucro TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD TO-252-6, DPak (5 Leads + Tab)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET - - Logic Level Gate Logic Level Gate
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numero di prodotto di base AOD60 AOD60 AOD60 AOD60
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252-4L TO-252-4L TO-252-4L TO-252-5
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 13nC @ 10V, 21nC @ 10V 10.8nC @ 10V 9.2nC @ 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 12A, 10V 30mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V 30mOhm @ 12A, 10V 33mOhm @ 8A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) 12A (Tc) 12A 8A
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Configurazione N and P-Channel Complementary N and P-Channel Complementary N and P-Channel, Common Drain N and P-Channel
Serie - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 30V 40V 40V 40V

AOD607 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOD607 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOD607 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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