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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciAOD603A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOD603A - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOD603A
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOD603A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 60V TO252-4L
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Scheda dati
AOD603A.pdf
TO252-4L Pkg Drawing.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 97280

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOD603A
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD603A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD603A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252-4L  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 60mOhm @ 12A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 30V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A, 3A  
Configurazione N and P-Channel, Common Drain  
Numero di prodotto di base AOD603  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD603A

Proprietà del prodotto AOD603A AOD609G AOD604 AOD607A
Modello di prodotti AOD603A AOD609G AOD604 AOD607A
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A, 3A 12A (Tc) 8A 8A (Tc), 12A (Tc)
Serie - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252-4L TO-252-4L TO-252-5 TO-252-4L
Contenitore / involucro TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD TO-252-6, DPak (5 Leads + Tab) TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.6V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 60mOhm @ 12A, 10V 30mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V 33mOhm @ 8A, 10V 25mOhm @ 8A, 10V, 27mOhm @ 12A, 10V
Numero di prodotto di base AOD603 AOD60 AOD60 AOD60
Potenza - Max 2W 2W (Ta), 27W (Tc), 2W (Ta), 30W (Tc) 1.6W, 1.7W 19W (Tc), 30W (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 60V 40V 40V 30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 30V 545pF @ 20V, 890pF @ 20V 404pF @ 20V 395pF @ 15V, 730pF @ 15V
Configurazione N and P-Channel, Common Drain N and P-Channel Complementary N and P-Channel N and P-Channel Complementary
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V 13nC @ 10V, 21nC @ 10V 9.2nC @ 10V 7nC @ 4.5V, 12nC @ 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate -

AOD603A Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOD603A PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOD603A - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Informazioni ambientali
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Schede tecniche
AOD603A.pdf TO252-4L Pkg Drawing.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assem/Test Site Chg 12/Dec/2018.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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