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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOB20S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOB20S60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOB20S60L
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOB20S60L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing.pdf
AOT/AOB/AOTF20S60.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 13763

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOB20S60L
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB20S60L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB20S60L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 4.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak)  
Serie aMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 199mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 266W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1038 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19.8 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOB20  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB20S60L

Proprietà del prodotto AOB20S60L AOB2144L AOB20C60PL AOB20C60
Modello di prodotti AOB20S60L AOB2144L AOB20C60PL AOB20C60
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vgs (th) (max) a Id 4.1V @ 250µA 2.4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1038 pF @ 100 V 5225 pF @ 20 V 3607 pF @ 100 V 3440 pF @ 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19.8 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base AOB20 AOB21 AOB20 AOB20
Dissipazione di potenza (max) 266W (Tc) 8.3W (Ta), 187W (Tc) 463W (Tc) 463W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Serie aMOS™ - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) 205A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 40 V 600 V 600 V
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 199mOhm @ 10A, 10V 2.3mOhm @ 20A, 10V 260mOhm @ 10A, 10V 250mOhm @ 10A, 10V

AOB20S60L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOB20S60L PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOB20S60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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