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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOB20C60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOB20C60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOB20C60L
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOB20C60L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
AO(T,B,TF)20C60.pdf
In magazzino: 4800

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOB20C60L
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB20C60L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB20C60L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 463W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3440 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOB20  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB20C60L

Proprietà del prodotto AOB20C60L AOB20S60L AOB1608L AOB190A60L
Modello di prodotti AOB20C60L AOB20S60L AOB1608L AOB190A60L
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 10A, 10V 199mOhm @ 10A, 10V 7.3mOhm @ 20A, 10V 190mOhm @ 7.6A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 60 V 600 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3440 pF @ 100 V 1038 pF @ 100 V 3690 pF @ 25 V 1935 pF @ 100 V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4.1V @ 250µA 3.7V @ 250µA 4.6V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) 20A (Tc) 11A (Ta), 140A (Tc) 20A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak)
Caratteristica FET - - - -
Serie - aMOS™ - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V 19.8 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dissipazione di potenza (max) 463W (Tc) 266W (Tc) 2.1W (Ta), 333W (Tc) 208W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base AOB20 AOB20 AOB1608 AOB190
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

AOB20C60L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOB20C60L PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOB20C60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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