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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDS8958A-F085
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDS8958A-F085 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDS8958A-F085
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDS8958A-F085
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
FDS8958A_F085.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4510

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDS8958A-F085
Specifiche tecniche onsemi - FDS8958A-F085, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDS8958A-F085

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 7A, 10V  
Potenza - Max 900mW  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A, 5A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base FDS89  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDS8958A-F085

Proprietà del prodotto FDS8958A-F085 FDS8958A-F085 FDS8958 FDS8958B
Modello di prodotti FDS8958A-F085 FDS8958A-F085 FDS8958 FDS8958B
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Potenza - Max 900mW 900mW 2W 900mW
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 7A, 10V 28mOhm @ 7A, 10V 28mOhm @ 7A, 10V 26mOhm @ 6.4A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V 16nC @ 10V 26nC @ 10V 12nC @ 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Numero di prodotto di base FDS89 FDS89 FDS89 FDS89
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A, 5A 7A, 5A 7A, 5A 6.4A, 4.5A
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 15V 575pF @ 15V 789pF @ 10V 540pF @ 15V
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

FDS8958A-F085 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDS8958A-F085 PDF e la documentazione onsemi per FDS8958A-F085 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
Schede tecniche
FDS8958A_F085.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
EOL 17/Dec/2021.pdf Mult Dev LTB Ext 13/Jan/2022.pdf
Numero parte PCN
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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