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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciVEC2616-TL-H
VEC2616-TL-H Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

VEC2616-TL-H - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
VEC2616-TL-H
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-VEC2616-TL-H
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
Pacchetto
8-SMD, Flat Lead
Scheda dati
VEC2616-TL-H.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4880

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Quantità
OPZIONE ESPRIT
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Specifiche

Specifiche tecnologiche VEC2616-TL-H
Specifiche tecniche onsemi - VEC2616-TL-H, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - VEC2616-TL-H

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.6V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-28FL/VEC8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 1.5A, 10V  
Potenza - Max 1W  
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 505pF @ 20V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A, 2.5A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base VEC2616  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi VEC2616-TL-H

Proprietà del prodotto VEC2616-TL-H VEC2415-TL-W VEC2415-TL-E VEC2819-S-TL-E
Modello di prodotti VEC2616-TL-H VEC2415-TL-W VEC2415-TL-E VEC2819-S-TL-E
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 505pF @ 20V 505pF @ 20V 505pF @ 20V -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Serie - - - *
Potenza - Max 1W 1W 1W -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V 10nC @ 10V 10nC @ 10V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A, 2.5A 3A 3A -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-28FL/VEC8 SOT-28FL/VEC8 SOT-28FL/VEC8 -
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 1.5A, 10V 80mOhm @ 1.5A, 10V 80mOhm @ 1.5A, 10V -
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate, 4V Drive Logic Level Gate -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Tensione drain-source (Vdss) 60V 60V 60V -
Numero di prodotto di base VEC2616 VEC2415 VEC2415 -
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead -
Vgs (th) (max) a Id 2.6V @ 1mA 2.6V @ 1mA 2.6V @ 1mA -
Configurazione N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -

VEC2616-TL-H Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VEC2616-TL-H PDF e la documentazione onsemi per VEC2616-TL-H - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Additional Wafer Fab Site 11/Aug/2014.pdf
PCN Design/Specifica
Wire/Mold Compound Revision 06/Jul/2015.pdf Wire/Mold Compound Update 03/Jun/2015.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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